横向双扩散金属氧化物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911001601.3

申请日：

2019-10-21

公开(公告)号：

CN112768521B

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

祝靖朱桂闯何乃龙张森李少红孙伟锋时龙兴

申请人：

申请人地址：

210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

虞凌霄

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	公开	公开
2022-08-12	授权	授权
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191021

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

朴日用 .

中国专利 :CN101388408A ,2009-03-18

[2]

p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

廖红 ;

罗波 .

中国专利 :CN102368500A ,2012-03-07

[3]

p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

廖红 ;

罗波 .

中国专利 :CN101777584B ,2011-12-07

[4]

p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

廖红 ;

罗波 .

中国专利 :CN102339853B ,2012-02-01

[5]

双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

曹建 ;

赵广艳 ;

高东岳 .

中国专利 :CN102569387B ,2012-07-11

[6]

一种横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

李胜 ;

薛颖 ;

童鑫 ;

叶然 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN107342325A ,2017-11-10

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

李钟锡 ;

洪坰国 .

中国专利 :CN103137661A ,2013-06-05

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN102683187B ,2012-09-19

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

令海阳 .

中国专利 :CN102157385B ,2011-08-17

[10]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN102280481B ,2011-12-14

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