横向双扩散金属氧化物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810146014.9

申请日：

2008-08-06

公开(公告)号：

CN101388408A

公开(公告)日：

2009-03-18

发明(设计)人：

朴日用

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军;冯志云

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101077080949 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2008101460149 公开日:20090318
2009-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

李镕俊 .

中国专利 :CN101625998A ,2010-01-13

[2]

p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

廖红 ;

罗波 .

中国专利 :CN102368500A ,2012-03-07

[3]

p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

廖红 ;

罗波 .

中国专利 :CN101777584B ,2011-12-07

[4]

p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

廖红 ;

罗波 .

中国专利 :CN102339853B ,2012-02-01

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

祝靖 ;

朱桂闯 ;

何乃龙 ;

张森 ;

李少红 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112768521B ,2021-05-07

[6]

一种横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

刘斯扬 ;

李胜 ;

薛颖 ;

童鑫 ;

叶然 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN107342325A ,2017-11-10

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

李钟锡 ;

洪坰国 .

中国专利 :CN103137661A ,2013-06-05

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN102280481B ,2011-12-14

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法 [P].

嵇彤 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

李彬鸿 ;

苏炳熏 ;

许静 ;

许滨滨 ;

王国庆 .

中国专利 :CN115602729A ,2023-01-13

[10]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN102683187B ,2012-09-19

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