横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110218604.X

申请日：

2011-08-01

公开(公告)号：

CN102280481B

公开(公告)日：

2011-12-14

发明(设计)人：

刘正超

申请人：

申请人地址：

201208 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701177207 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201110218604X 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201208 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140430
2014-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582460704 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201110218604X 申请日:20110801
2011-12-14	公开	公开
2016-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

李镕俊 .

中国专利 :CN101625998A ,2010-01-13

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

朴日用 .

中国专利 :CN101388408A ,2009-03-18

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

李钟锡 ;

洪坰国 .

中国专利 :CN103137661A ,2013-06-05

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN102683187B ,2012-09-19

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

令海阳 .

中国专利 :CN102157385B ,2011-08-17

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

祝靖 ;

朱桂闯 ;

何乃龙 ;

张森 ;

李少红 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN112768521B ,2021-05-07

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法 [P].

嵇彤 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

李彬鸿 ;

苏炳熏 ;

许静 ;

许滨滨 ;

王国庆 .

中国专利 :CN115602729A ,2023-01-13

[8]

p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

廖红 ;

罗波 .

中国专利 :CN102368500A ,2012-03-07

[9]

p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

廖红 ;

罗波 .

中国专利 :CN101777584B ,2011-12-07

[10]

p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

廖红 ;

罗波 .

中国专利 :CN102339853B ,2012-02-01

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