超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110372018.0

申请日：

2011-11-21

公开(公告)号：

CN103123898A

公开(公告)日：

2013-05-29

发明(设计)人：

张帅刘远良

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区上海浦东川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-29	公开	公开
2014-02-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101691495147 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103720180 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区上海浦东川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140116
2013-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101480523925 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103720180 申请日:20111121
2015-12-02	授权	授权

共 50 条

[1]

垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

钟圣荣 ;

郑芳 .

中国专利 :CN108574011A ,2018-09-25

[2]

双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

曹建 ;

赵广艳 ;

高东岳 .

中国专利 :CN102569387B ,2012-07-11

[3]

平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

陈洪宁 ;

方绍明 ;

刘鹏飞 ;

王心强 ;

陈勇 .

中国专利 :CN101459084B ,2009-06-17

[4]

平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法 [P].

陈洪宁 ;

方绍明 ;

刘鹏飞 ;

王新强 ;

陈勇 .

中国专利 :CN101350309B ,2011-04-20

[5]

射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法 [P].

邱海亮 ;

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298893B ,2017-01-04

[6]

射频水平双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106206725B ,2016-12-07

[7]

射频水平双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106206723B ,2016-12-07

[8]

超级自对准的沟－栅双扩散金属氧化物半导体器件 [P].

理查德·K·威廉斯 ;

韦恩·格拉博斯基 .

中国专利 :CN101179030A ,2008-05-14

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法 [P].

嵇彤 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

李彬鸿 ;

苏炳熏 ;

许静 ;

许滨滨 ;

王国庆 .

中国专利 :CN115602729A ,2023-01-13

[10]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

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