曝光用光掩模及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98100557.8

申请日：

1998-02-20

公开(公告)号：

CN1192543A

公开(公告)日：

1998-09-09

发明(设计)人：

松浦诚司

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

G03F108

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-09-09	公开	公开
2004-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2003-06-11	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20030418
1998-08-19	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

曝光用光源装置 [P].

三浦雄一 ;

林贤志 .

中国专利 :CN112969969B ,2021-06-15

[2]

曝光掩模的制造方法及其应用 [P].

伊藤正光 .

中国专利 :CN1389902A ,2003-01-08

[3]

扫描型曝光用光源单元 [P].

三宅荣一 .

中国专利 :CN1782885A ,2006-06-07

[4]

图案形成方法、用于该图案形成的曝光用的掩模及其制造方法 [P].

小谷敏也 ;

田中聪 ;

井上壮一 .

中国专利 :CN1242452C ,2002-12-11

[5]

掩模版用透光性基板的制造方法、掩模版的制造方法、曝光用掩模的制造方法、半导体装置的制造方法以及液晶显示装置的制造方法以及曝光用掩模的缺陷修正方法 [P].

田边胜 ;

三井胜 .

中国专利 :CN1839350A ,2006-09-27

[6]

曝光掩模以及利用曝光掩模的半导体制造方法 [P].

马原光 ;

严泰胜 .

中国专利 :CN101614952A ,2009-12-30

[7]

光掩模及其制造方法和使用光掩模的半导体装置制造方法 [P].

田中稔彦 ;

中尾修治 .

中国专利 :CN1603949A ,2005-04-06

[8]

图案形成方法、半导体装置的制造方法及曝光用掩模装置 [P].

石桥健夫 ;

齐藤隆幸 ;

伊藤麻矢 ;

中尾修治 .

中国专利 :CN1790167A ,2006-06-21

[9]

光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法 [P].

田边胜 ;

川口厚 ;

赤川裕之 ;

河原明宏 .

中国专利 :CN101813883A ,2010-08-25

[10]

光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法 [P].

田边胜 ;

川口厚 ;

赤川裕之 ;

河原明宏 .

中国专利 :CN1755519B ,2006-04-05

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