光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200510107561.2
申请日
2005-09-29
公开(公告)号
CN1755519B
公开(公告)日
2006-04-05
发明(设计)人
田边胜 川口厚 赤川裕之 河原明宏
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
G03F114
IPC分类号
G03F720 H01L21027
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
刘志平
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法 [P]. 
田边胜 ;
川口厚 ;
赤川裕之 ;
河原明宏 .
中国专利 :CN101813883A ,2010-08-25
[2]
光刻掩模制造 [P]. 
P·-Y·严 .
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[3]
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[4]
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[5]
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[6]
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[8]
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[10]
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T.佐伊纳 ;
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