光刻掩模制造

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02823847.8

申请日：

2002-10-02

公开(公告)号：

CN1656424A

公开(公告)日：

2005-08-17

发明(设计)人：

P·－Y·严

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G03F114

IPC分类号：

G03F100

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

李家麟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-25	授权	授权
2005-10-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-11-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588949718 IPC(主分类):G03F 1/14 专利号:ZL028238478 申请日:20021002 授权公告日:20070425 终止日期:20131002
2005-08-17	公开	公开

共 50 条

[1]

掩模制造方法 [P].

黄旭霆 ;

罗世翔 ;

刘如淦 .

中国专利 :CN109782529A ,2019-05-21

[2]

光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法 [P].

田边胜 ;

川口厚 ;

赤川裕之 ;

河原明宏 .

中国专利 :CN101813883A ,2010-08-25

[3]

光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法 [P].

田边胜 ;

川口厚 ;

赤川裕之 ;

河原明宏 .

中国专利 :CN1755519B ,2006-04-05

[4]

掩模制造方法、用该掩模制造的半导体装置及其制造方法 [P].

姜明昊 ;

金勇儿 ;

朴东孝 ;

朴性律 ;

李昌炫 .

中国专利 :CN115084133A ,2022-09-20

[5]

OLED用掩模制造方法 [P].

金永彬 ;

沈愚泌 .

韩国专利 :CN119451527A ,2025-02-14

[6]

蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模制造装置 [P].

宫寺仁子 ;

二连木隆佳 ;

武田利彦 .

中国专利 :CN111088476A ,2020-05-01

[7]

光刻掩模版 [P].

官锡俊 .

中国专利 :CN108535953B ,2018-09-14

[8]

光掩模、制造光掩模的方法与使用光掩模制造半导体结构的方法 [P].

刘子汉 ;

温志伟 ;

林重宏 .

中国专利 :CN111796479A ,2020-10-20

[9]

光刻掩模、光刻设备和方法 [P].

J·M·芬德尔斯 .

中国专利 :CN103207516A ,2013-07-17

[10]

光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

中国专利 :CN107092161A ,2017-08-25

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