蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010076410.X

申请日：

2016-02-03

公开(公告)号：

CN111088476A

公开(公告)日：

2020-05-01

发明(设计)人：

宫寺仁子二连木隆佳武田利彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C1404

IPC分类号：

C23C1412 C23C1424 H01L5100 H01L5105 H01L5150 H01L5156

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

曲天佐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/04 申请日:20160203
2020-05-01	公开	公开

共 50 条

[1]

蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模制造装置、激光用掩模及有机半导体元件的制造方法 [P].

宫寺仁子 ;

二连木隆佳 ;

武田利彦 .

中国专利 :CN107109622A ,2017-08-29

[2]

蒸镀掩模及蒸镀掩模的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

川崎博司 .

中国专利 :CN110578120A ,2019-12-17

[3]

蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及蒸镀掩模的制造装置 [P].

成谷元嗣 .

中国专利 :CN110268090B ,2019-09-20

[4]

蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模及其制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

川崎博司 .

中国专利 :CN109267006A ,2019-01-25

[5]

蒸镀掩模的制造装置和蒸镀掩模的制造方法 [P].

木村辽太郎 .

日本专利 :CN116724150B ,2025-11-04

[6]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN107858642B ,2018-03-30

[7]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

小幡胜也 ;

武田利彦 ;

川崎博司 ;

西村佑行 ;

真木淳 ;

落合洋光 ;

广部吉纪 .

中国专利 :CN105102668A ,2015-11-25

[8]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN105143497A ,2015-12-09

[9]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN107855641A ,2018-03-30

[10]

蒸镀掩模装置的制造方法 [P].

广部吉纪 ;

松元丰 ;

牛草昌人 ;

武田利彦 ;

西村佑行 ;

小幡胜也 ;

竹腰敬 .

中国专利 :CN105322102B ,2016-02-10

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