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蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710872255.0
申请日：
2014-03-24
公开(公告)号：
CN107855641A
公开(公告)日：
2018-03-30
发明(设计)人：
武田利彦 小幡胜也 落合洋光
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
B23K2606
IPC分类号：
B23K26082 B23K26382 C23C1404 H01L2732 H01L5100 B23K2640 B23K10140 B23K10300 B23K10316
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
沈雪
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-03-30 公开 公开
2018-04-24 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):B23K 26/06 申请日:20140324
2020-10-13 发明专利申请公布后的驳回 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B23K 26/06 申请公布日:20180330
共 50 条
[1]
蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P]. 
武田利彦 ;
小幡胜也 ;
落合洋光 .
中国专利 :CN107858642B ,2018-03-30
[2]
蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P]. 
小幡胜也 ;
武田利彦 ;
川崎博司 ;
西村佑行 ;
真木淳 ;
落合洋光 ;
广部吉纪 .
中国专利 :CN105102668A ,2015-11-25
[3]
蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P]. 
武田利彦 ;
小幡胜也 ;
落合洋光 .
中国专利 :CN105143497A ,2015-12-09
[4]
蒸镀掩模、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 [P]. 
西田光志 ;
崎尾进 ;
岸本克彦 .
中国专利 :CN113737128A ,2021-12-03
[5]
蒸镀掩模、带框体的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀图案形成方法及有机半导体元件的制造方法 [P]. 
曾根康子 ;
川崎博司 ;
广部吉纪 ;
小幡胜也 ;
成田亚沙子 ;
居城均 ;
初田千秋 .
中国专利 :CN110382731B ,2019-10-25
[6]
蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模前体及有机半导体元件的制造方法 [P]. 
武田利彦 ;
川崎博司 ;
小幡胜也 .
中国专利 :CN106536784A ,2017-03-22
[7]
制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机EL显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模 [P]. 
武田利彦 ;
穗刈久实子 ;
曾根康子 ;
小幡胜也 .
中国专利 :CN112176284A ,2021-01-05
[8]
制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机EL显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模 [P]. 
武田利彦 ;
穗刈久实子 ;
曾根康子 ;
小幡胜也 .
中国专利 :CN107709602B ,2018-02-16
[9]
制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机EL显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模 [P]. 
武田利彦 ;
穗刈久实子 ;
曾根康子 ;
小幡胜也 .
中国专利 :CN112267091B ,2021-01-26
[10]
蒸镀掩模及蒸镀掩模的制造方法 [P]. 
武田利彦 ;
小幡胜也 ;
川崎博司 .
中国专利 :CN110578120A ,2019-12-17
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