蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模前体及有机半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580022365.7

申请日：

2015-05-29

公开(公告)号：

CN106536784A

公开(公告)日：

2017-03-22

发明(设计)人：

武田利彦川崎博司小幡胜也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C1424

IPC分类号：

H01L5150 H05B3310

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

沈雪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-30	授权	授权
2017-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101714011424 IPC(主分类):C23C 14/24 专利申请号:2015800223657 申请日:20150529
2017-03-22	公开	公开

共 50 条

[1]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN107858642B ,2018-03-30

[2]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

小幡胜也 ;

武田利彦 ;

川崎博司 ;

西村佑行 ;

真木淳 ;

落合洋光 ;

广部吉纪 .

中国专利 :CN105102668A ,2015-11-25

[3]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN105143497A ,2015-12-09

[4]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN107855641A ,2018-03-30

[5]

蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

川崎博司 .

中国专利 :CN105637113A ,2016-06-01

[6]

蒸镀掩模、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 [P].

西田光志 ;

崎尾进 ;

岸本克彦 .

中国专利 :CN113737128A ,2021-12-03

[7]

蒸镀掩模、带框体的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀图案形成方法及有机半导体元件的制造方法 [P].

曾根康子 ;

川崎博司 ;

广部吉纪 ;

小幡胜也 ;

成田亚沙子 ;

居城均 ;

初田千秋 .

中国专利 :CN110382731B ,2019-10-25

[8]

蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模及其制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

川崎博司 .

中国专利 :CN109267006A ,2019-01-25

[9]

蒸镀掩模及蒸镀掩模的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

川崎博司 .

中国专利 :CN110578120A ,2019-12-17

[10]

蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 [P].

西田光志 ;

矢野耕三 ;

岸本克彥 .

中国专利 :CN108884555A ,2018-11-23

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