蒸镀掩模、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111028520.X

申请日：

2017-01-31

公开(公告)号：

CN113737128A

公开(公告)日：

2021-12-03

发明(设计)人：

西田光志崎尾进岸本克彦

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府堺市堺区匠町1番地

IPC主分类号：

C23C1404

IPC分类号：

C23C1424 B29C4134 B29C7102 H01L5156

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

郝家欢

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-03	公开	公开
2021-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/04 申请日:20170131

共 50 条

[1]

蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 [P].

西田光志 ;

崎尾进 ;

岸本克彦 .

中国专利 :CN110234783A ,2019-09-13

[2]

蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 [P].

西田光志 ;

矢野耕三 ;

岸本克彥 ;

崎尾进 ;

竹井日出夫 .

中国专利 :CN109072411A ,2018-12-21

[3]

蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 [P].

西田光志 ;

矢野耕三 ;

岸本克彥 .

中国专利 :CN108884555A ,2018-11-23

[4]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN107858642B ,2018-03-30

[5]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

小幡胜也 ;

武田利彦 ;

川崎博司 ;

西村佑行 ;

真木淳 ;

落合洋光 ;

广部吉纪 .

中国专利 :CN105102668A ,2015-11-25

[6]

蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法以及有机半导体元件的制造方法 [P].

崎尾进 ;

岸本克彦 .

中国专利 :CN112543817A ,2021-03-23

[7]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN105143497A ,2015-12-09

[8]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN107855641A ,2018-03-30

[9]

蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模前体及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

川崎博司 ;

小幡胜也 .

中国专利 :CN106536784A ,2017-03-22

[10]

蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法及有机半导体元件的制造方法 [P].

广部吉纪 ;

松元丰 ;

牛草昌人 ;

武田利彦 ;

西村佑行 ;

小幡胜也 ;

竹腰敬 .

中国专利 :CN104053813A ,2014-09-17

← 1 2 3 4 5 →