制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机EL显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680036462.6

申请日：

2016-06-29

公开(公告)号：

CN107709602B

公开(公告)日：

2018-02-16

发明(设计)人：

武田利彦穗刈久实子曾根康子小幡胜也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C1404

IPC分类号：

B23K26382 C23C1424 H01L5150 H05B3310

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

沈雪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-16	公开	公开
2020-10-13	授权	授权
2018-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/04 申请日:20160629

共 50 条

[1]

制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机EL显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模 [P].

武田利彦 ;

穗刈久实子 ;

曾根康子 ;

小幡胜也 .

中国专利 :CN112176284A ,2021-01-05

[2]

制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机EL显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模 [P].

武田利彦 ;

穗刈久实子 ;

曾根康子 ;

小幡胜也 .

中国专利 :CN112267091B ,2021-01-26

[3]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN107858642B ,2018-03-30

[4]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

小幡胜也 ;

武田利彦 ;

川崎博司 ;

西村佑行 ;

真木淳 ;

落合洋光 ;

广部吉纪 .

中国专利 :CN105102668A ,2015-11-25

[5]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN105143497A ,2015-12-09

[6]

蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

小幡胜也 ;

落合洋光 .

中国专利 :CN107855641A ,2018-03-30

[7]

蒸镀掩模、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 [P].

西田光志 ;

崎尾进 ;

岸本克彦 .

中国专利 :CN113737128A ,2021-12-03

[8]

蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模前体及有机半导体元件的制造方法 [P].

武田利彦 ;

川崎博司 ;

小幡胜也 .

中国专利 :CN106536784A ,2017-03-22

[9]

蒸镀掩模、带框体的蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀图案形成方法及有机半导体元件的制造方法 [P].

曾根康子 ;

川崎博司 ;

广部吉纪 ;

小幡胜也 ;

成田亚沙子 ;

居城均 ;

初田千秋 .

中国专利 :CN110382731B ,2019-10-25

[10]

蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、有机半导体元件的制造方法、及有机EL显示器的制造方法 [P].

川崎博司 ;

武田利彦 .

中国专利 :CN109154064A ,2019-01-04

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