蒸镀掩模的制造装置和蒸镀掩模的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202180085691.8
申请日
2021-11-16
公开(公告)号
CN116724150B
公开(公告)日
2025-11-04
发明(设计)人
木村辽太郎
申请人
株式会社迈格诺皓特
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C23C14/04
IPC分类号
C25D1/10
代理机构
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人
邸万杰;池兵
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及蒸镀掩模的制造装置 [P]. 
成谷元嗣 .
中国专利 :CN110268090B ,2019-09-20
[2]
蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模制造装置 [P]. 
宫寺仁子 ;
二连木隆佳 ;
武田利彦 .
中国专利 :CN111088476A ,2020-05-01
[3]
蒸镀掩模装置的制造方法和蒸镀掩模装置的制造装置 [P]. 
冈本英介 .
中国专利 :CN113981367A ,2022-01-28
[4]
蒸镀掩模装置的制造方法和蒸镀掩模装置的制造装置 [P]. 
冈本英介 .
中国专利 :CN109423604B ,2019-03-05
[5]
蒸镀掩模装置、掩模支承机构及蒸镀掩模装置的制造方法 [P]. 
青木大吾 ;
池永知加雄 ;
井上功 .
中国专利 :CN111534788A ,2020-08-14
[6]
蒸镀掩模装置的制造装置 [P]. 
冈本英介 .
中国专利 :CN208815101U ,2019-05-03
[7]
蒸镀掩模的制造方法及制造装置 [P]. 
崎尾进 .
中国专利 :CN109315043B ,2019-02-05
[8]
蒸镀掩模的制造方法及制造装置 [P]. 
山田哲行 .
中国专利 :CN113308667A ,2021-08-27
[9]
蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模制造装置、激光用掩模及有机半导体元件的制造方法 [P]. 
宫寺仁子 ;
二连木隆佳 ;
武田利彦 .
中国专利 :CN107109622A ,2017-08-29
[10]
蒸镀掩模装置和掩模支承机构 [P]. 
青木大吾 ;
池永知加雄 ;
井上功 .
中国专利 :CN211713188U ,2020-10-20