光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710075800.3

申请日：

2017-02-13

公开(公告)号：

CN107092161A

公开(公告)日：

2017-08-25

发明(设计)人：

金良男

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G03F146

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

翟然

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/46 申请日:20170213
2017-08-25	公开	公开
2021-12-07	授权	授权

共 50 条

[1]

光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

文载寅 .

中国专利 :CN101446756B ,2009-06-03

[2]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

张仲豪 ;

陈明威 ;

马艾杰 ;

陈庆跃 .

中国专利 :CN115145124A ,2022-10-04

[3]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

韩国专利 :CN113433792B ,2024-07-23

[4]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

中国专利 :CN113433792A ,2021-09-24

[5]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

张仲豪 ;

陈明威 ;

马艾杰 ;

陈庆跃 .

中国专利 :CN115145124B ,2025-11-04

[6]

光掩模制造方法和半导体器件制造方法 [P].

野岛茂树 ;

三本木省次 ;

田中聪 ;

小谷敏也 ;

长谷部茂 ;

桥本耕治 ;

井上壮一 ;

池永修 .

中国专利 :CN1254848C ,2004-06-16

[7]

光掩模、制造光掩模的方法与使用光掩模制造半导体结构的方法 [P].

刘子汉 ;

温志伟 ;

林重宏 .

中国专利 :CN111796479A ,2020-10-20

[8]

光掩模的制造方法和使用该光掩模的半导体装置制造方法 [P].

野嵨茂树 ;

池永修 .

中国专利 :CN1223898C ,2003-09-10

[9]

光掩模、光掩模坯、半导体器件的制造方法 [P].

郑珉交 ;

金星润 ;

孙晟熏 ;

申仁均 ;

崔石荣 ;

金修衒 ;

金圭勋 ;

李亨周 .

韩国专利 :CN115268208B ,2025-10-28

[10]

光掩模设计方法以及使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

川上幸也 .

中国专利 :CN101526735B ,2009-09-09

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