使用光掩模制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110719071.7

申请日：

2017-02-13

公开(公告)号：

CN113433792A

公开(公告)日：

2021-09-24

发明(设计)人：

金良男

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G03F146

IPC分类号：

G03F720 G03F7004

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

翟然

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/46 申请日:20170213
2021-09-24	公开	公开

共 50 条

[1]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

韩国专利 :CN113433792B ,2024-07-23

[2]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

张仲豪 ;

陈明威 ;

马艾杰 ;

陈庆跃 .

中国专利 :CN115145124A ,2022-10-04

[3]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

张仲豪 ;

陈明威 ;

马艾杰 ;

陈庆跃 .

中国专利 :CN115145124B ,2025-11-04

[4]

光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

中国专利 :CN107092161A ,2017-08-25

[5]

光掩模设计方法以及使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

川上幸也 .

中国专利 :CN101526735B ,2009-09-09

[6]

光掩模的制造方法和利用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

二谷广贵 ;

森下和正 .

中国专利 :CN1841388A ,2006-10-04

[7]

光掩模、制造光掩模的方法与使用光掩模制造半导体结构的方法 [P].

刘子汉 ;

温志伟 ;

林重宏 .

中国专利 :CN111796479A ,2020-10-20

[8]

设计掩模的方法和使用该掩模制造半导体器件的方法 [P].

梁起豪 ;

张准荣 ;

金昌焕 ;

徐成寿 .

中国专利 :CN110032038A ,2019-07-19

[9]

光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

文载寅 .

中国专利 :CN101446756B ,2009-06-03

[10]

曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法 [P].

郑龙淳 .

中国专利 :CN101206394A ,2008-06-25

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