设计掩模的方法和使用该掩模制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811426612.1

申请日：

2018-11-27

公开(公告)号：

CN110032038A

公开(公告)日：

2019-07-19

发明(设计)人：

梁起豪张准荣金昌焕徐成寿

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G03F136

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

赵南;张青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-19	公开	公开
2020-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/36 申请日:20181127

共 50 条

[1]

光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

中国专利 :CN107092161A ,2017-08-25

[2]

光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

文载寅 .

中国专利 :CN101446756B ,2009-06-03

[3]

曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法 [P].

郑龙淳 .

中国专利 :CN101206394A ,2008-06-25

[4]

光掩模设计方法以及使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

川上幸也 .

中国专利 :CN101526735B ,2009-09-09

[5]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

张仲豪 ;

陈明威 ;

马艾杰 ;

陈庆跃 .

中国专利 :CN115145124A ,2022-10-04

[6]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

韩国专利 :CN113433792B ,2024-07-23

[7]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

中国专利 :CN113433792A ,2021-09-24

[8]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

张仲豪 ;

陈明威 ;

马艾杰 ;

陈庆跃 .

中国专利 :CN115145124B ,2025-11-04

[9]

光掩模的制造方法和利用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

二谷广贵 ;

森下和正 .

中国专利 :CN1841388A ,2006-10-04

[10]

电子束曝光掩模和用该掩模制造半导体器件的方法 [P].

宫坂满美 .

中国专利 :CN1275797A ,2000-12-06

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