光掩模的制造方法和利用光掩模制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510108434.4

申请日：

2005-10-08

公开(公告)号：

CN1841388A

公开(公告)日：

2006-10-04

发明(设计)人：

二谷广贵森下和正

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

G03F108

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军;郑特强

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101039206949 IPC(主分类):G06F 17/50 专利号:ZL2005101084344 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:日本神奈川县横浜市变更后:日本神奈川县横浜市
2020-09-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20051008 授权公告日:20100825 终止日期:20191008
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101039206948 IPC(主分类):G06F 17/50 专利号:ZL2005101084344 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县横浜市
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-10-04	公开	公开
2008-12-10	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本东京都登记生效日:20081107
2010-08-25	授权	授权

共 50 条

[1]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

中国专利 :CN113433792A ,2021-09-24

[2]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

张仲豪 ;

陈明威 ;

马艾杰 ;

陈庆跃 .

中国专利 :CN115145124A ,2022-10-04

[3]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

韩国专利 :CN113433792B ,2024-07-23

[4]

使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

张仲豪 ;

陈明威 ;

马艾杰 ;

陈庆跃 .

中国专利 :CN115145124B ,2025-11-04

[5]

光掩模设计方法以及使用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

川上幸也 .

中国专利 :CN101526735B ,2009-09-09

[6]

光掩模制造方法和半导体器件制造方法 [P].

野岛茂树 ;

三本木省次 ;

田中聪 ;

小谷敏也 ;

长谷部茂 ;

桥本耕治 ;

井上壮一 ;

池永修 .

中国专利 :CN1254848C ,2004-06-16

[7]

光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

中国专利 :CN107092161A ,2017-08-25

[8]

光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

文载寅 .

中国专利 :CN101446756B ,2009-06-03

[9]

光掩模制造方法和包括其的半导体器件制造方法 [P].

韩学承 ;

朴相昱 ;

朴钟主 ;

李来原 .

中国专利 :CN112305853A ,2021-02-02

[10]

光掩模、光掩模坯、半导体器件的制造方法 [P].

郑珉交 ;

金星润 ;

孙晟熏 ;

申仁均 ;

崔石荣 ;

金修衒 ;

金圭勋 ;

李亨周 .

韩国专利 :CN115268208B ,2025-10-28

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