光掩模制造方法和包括其的半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010709170.2

申请日：

2020-07-22

公开(公告)号：

CN112305853A

公开(公告)日：

2021-02-02

发明(设计)人：

韩学承朴相昱朴钟主李来原

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G03F136

IPC分类号：

G03F152 G03F176 H01L21027

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

弋桂芬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/36 申请日:20200722
2021-02-02	公开	公开

共 50 条

[1]

光掩模制造方法和半导体器件制造方法 [P].

野岛茂树 ;

三本木省次 ;

田中聪 ;

小谷敏也 ;

长谷部茂 ;

桥本耕治 ;

井上壮一 ;

池永修 .

中国专利 :CN1254848C ,2004-06-16

[2]

光掩模的制造方法和利用光掩模制造半导体器件的方法 [P].

二谷广贵 ;

森下和正 .

中国专利 :CN1841388A ,2006-10-04

[3]

光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

中国专利 :CN107092161A ,2017-08-25

[4]

光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法 [P].

金二权 ;

金相辰 ;

高熙英 ;

金熙范 ;

金勋 ;

崔烘硕 ;

许晋硕 .

中国专利 :CN111435217A ,2020-07-21

[5]

光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法 [P].

金二权 ;

金相辰 ;

高熙英 ;

金熙范 ;

金勋 ;

崔烘硕 ;

许晋硕 .

韩国专利 :CN111435217B ,2024-05-28

[6]

光掩模、半导体器件制造系统和半导体器件制造方法 [P].

南出步 ;

茂庭明美 ;

坂井淳二郎 ;

石桥学 .

中国专利 :CN101539720B ,2009-09-23

[7]

制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法 [P].

吴兴锡 ;

金周炳 ;

金尚昱 ;

李熙俊 ;

郑芝银 ;

韩奎斌 .

韩国专利 :CN118112881A ,2024-05-31

[8]

光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

文载寅 .

中国专利 :CN101446756B ,2009-06-03

[9]

制造光掩模组的方法和制造半导体器件的方法 [P].

安兴培 ;

朴商五 ;

丁成坤 .

中国专利 :CN112731761A ,2021-04-30

[10]

制造光掩模组的方法和制造半导体器件的方法 [P].

安兴培 ;

朴商五 ;

丁成坤 .

韩国专利 :CN112731761B ,2025-10-24

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