光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911075216.3

申请日：

2019-11-06

公开(公告)号：

CN111435217B

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

金二权金相辰高熙英金熙范金勋崔烘硕许晋硕

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G03F1/52

IPC分类号：

G03F1/56 H01L21/027

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

屈玉华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-28	授权	授权

共 50 条

[1]

光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法 [P].

金二权 ;

金相辰 ;

高熙英 ;

金熙范 ;

金勋 ;

崔烘硕 ;

许晋硕 .

中国专利 :CN111435217A ,2020-07-21

[2]

曝光掩模、其制造方法以及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

江崎瑞仙 .

中国专利 :CN1293449A ,2001-05-02

[3]

空白掩模、使用其的光掩模及半导体器件的制造方法 [P].

李乾坤 ;

金星润 ;

郑珉交 ;

李亨周 ;

孙晟熏 ;

金太永 .

韩国专利 :CN117590682A ,2024-02-23

[4]

光掩模制造方法和包括其的半导体器件制造方法 [P].

韩学承 ;

朴相昱 ;

朴钟主 ;

李来原 .

中国专利 :CN112305853A ,2021-02-02

[5]

半导体器件和制造其的方法 [P].

金云天 ;

朴大绪 ;

朴点龙 .

韩国专利 :CN117438397A ,2024-01-23

[6]

半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法 [P].

裵根熙 ;

朴珍洪 ;

许晋硕 ;

李昇玟 ;

林宣泽 .

韩国专利 :CN111880375B ,2024-09-06

[7]

半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法 [P].

裵根熙 ;

朴珍洪 ;

许晋硕 ;

李昇玟 ;

林宣泽 .

中国专利 :CN111880375A ,2020-11-03

[8]

制造半导体器件的设备和使用其制造半导体器件的方法 [P].

李汉春 .

中国专利 :CN101136316A ,2008-03-05

[9]

校正掩模布局的方法和使用其制造半导体器件的方法 [P].

文晟墉 ;

李受龙 ;

金昌焕 .

中国专利 :CN109828433A ,2019-05-31

[10]

半导体器件和其制造方法 [P].

国岛浩之 ;

竹胁利至 .

中国专利 :CN100339972C ,2004-05-05

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