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半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911364910.7
申请日：
2019-12-26
公开(公告)号：
CN111880375A
公开(公告)日：
2020-11-03
发明(设计)人：
裵根熙 朴珍洪 许晋硕 李昇玟 林宣泽
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道水原市
IPC主分类号：
G03F720
IPC分类号：
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
刘美华;韩芳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-11-03 公开 公开
2021-07-02 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20191226
共 50 条
[1]
半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法 [P]. 
裵根熙 ;
朴珍洪 ;
许晋硕 ;
李昇玟 ;
林宣泽 .
韩国专利 :CN111880375B ,2024-09-06
[2]
制造半导体器件的设备和使用其制造半导体器件的方法 [P]. 
李汉春 .
中国专利 :CN101136316A ,2008-03-05
[3]
半导体器件制造方法和使用该半导体器件制造方法而制造的半导体器件 [P]. 
李准京 ;
金泰成 ;
李镐珍 ;
林东灿 ;
黄载元 .
韩国专利 :CN119028996A ,2024-11-26
[4]
半导体器件、半导体器件制造方法和使用半导体器件的电路器件 [P]. 
难波兼二 .
中国专利 :CN102460670A ,2012-05-16
[5]
半导体器件制造系统以及半导体器件制造方法 [P]. 
渡边真二郎 ;
饭田到 ;
原田宗生 .
中国专利 :CN103208433A ,2013-07-17
[6]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
李宜静 ;
柯志欣 ;
万幸仁 .
中国专利 :CN111261522A ,2020-06-09
[7]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
北泽雅志 ;
黑井隆 .
中国专利 :CN1507031A ,2004-06-23
[8]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
山川真弥 .
中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23
[9]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
黑泽直人 .
中国专利 :CN101752301A ,2010-06-23
[10]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
张筱君 ;
沈冠杰 .
中国专利 :CN112670181A ,2021-04-16
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