半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910226418.3

申请日：

2009-11-20

公开(公告)号：

CN101752301A

公开(公告)日：

2010-06-23

发明(设计)人：

黑泽直人

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2166 H01L23522

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-23	公开	公开
2014-03-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101697941161 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009102264183 申请公布日:20100623
2011-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101090128387 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009102264183 申请日:20091120
2010-12-22	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101054590801 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009102264183 变更事项:申请人变更前权利人:恩益禧电子股份有限公司变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20101110

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[2]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A.鲍尔 ;

R.黑斯 ;

G.莱希克 ;

F.马里亚尼 .

中国专利 :CN104465513A ,2015-03-25

[3]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

陈亚威 ;

简志宏 .

中国专利 :CN120376511A ,2025-07-25

[4]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

荣森贵尚 ;

三濑信行 .

中国专利 :CN101651120B ,2010-02-17

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

上野和良 .

中国专利 :CN100334725C ,2004-02-18

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

中国专利 :CN113675167A ,2021-11-19

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

谢瑞夫 ;

廖志腾 ;

陈志山 ;

陈臆仁 ;

翁子展 .

中国专利 :CN113206042B ,2024-03-26

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

褚志彪 ;

李明洋 ;

李连忠 .

中国专利 :CN113130326B ,2025-01-10

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

褚志彪 ;

李明洋 ;

李连忠 .

中国专利 :CN113130326A ,2021-07-16

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

富士原明 .

中国专利 :CN101901798B ,2010-12-01

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