半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011263835.8

申请日：

2020-11-12

公开(公告)号：

CN113130326B

公开(公告)日：

2025-01-10

发明(设计)人：

褚志彪李明洋李连忠

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21/34

IPC分类号：

H10D62/13 H10D64/23 H10D84/83

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

褚志彪 ;

李明洋 ;

李连忠 .

中国专利 :CN113130326A ,2021-07-16

[2]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

黑泽直人 .

中国专利 :CN101752301A ,2010-06-23

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

谢瑞夫 ;

廖志腾 ;

陈志山 ;

陈臆仁 ;

翁子展 .

中国专利 :CN113206042B ,2024-03-26

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

矶部敦生 ;

村上智史 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1855399A ,2006-11-01

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

崔庆寅 ;

崔成贤 ;

卓容奭 ;

具本荣 ;

韩在钟 .

中国专利 :CN110164956B ,2019-08-23

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

寺本章伸 ;

神林宏 ;

上田博一 ;

两角友一朗 ;

原田豪繁 ;

长谷部一秀 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN103339733A ,2013-10-02

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

崔庆寅 ;

崔成贤 ;

卓容奭 ;

具本荣 ;

韩在钟 .

中国专利 :CN104637820A ,2015-05-20

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

谢瑞夫 ;

廖志腾 ;

陈志山 ;

陈臆仁 ;

翁子展 .

中国专利 :CN113206042A ,2021-08-03

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

野口纯司 ;

滨田直秀 .

中国专利 :CN1417852A ,2003-05-14

← 1 2 3 4 5 →