半导体器件的制造方法和半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410113334.3
申请日
2024-01-25
公开(公告)号
CN120376511A
公开(公告)日
2025-07-25
发明(设计)人
陈亚威 简志宏
申请人
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
H01L21/77
IPC分类号
H01L21/02 H01L21/302 H01L21/683
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
别亚琴
法律状态
公开
国省代码
河北省 保定市
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共 50 条
[1]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
黑泽直人 .
中国专利 :CN101752301A ,2010-06-23
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半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
荣森贵尚 ;
三濑信行 .
中国专利 :CN101651120B ,2010-02-17
[3]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
上野和良 .
中国专利 :CN100334725C ,2004-02-18
[4]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
加藤信之 .
中国专利 :CN113675167A ,2021-11-19
[5]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
富士原明 .
中国专利 :CN101901798B ,2010-12-01
[6]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
加藤信之 .
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[7]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
加藤信之 .
日本专利 :CN120897498A ,2025-11-04
[8]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
邹永金 ;
顾文斌 ;
曹秀亮 .
中国专利 :CN110047799A ,2019-07-23
[9]
半导体器件、半导体器件布局和制造半导体器件的方法 [P]. 
廖忠志 .
中国专利 :CN106024628A ,2016-10-12
[10]
半导体器件和半导体器件制造方法 [P]. 
涂火金 ;
三重野文健 ;
禹国宾 .
中国专利 :CN103165664A ,2013-06-19