半导体器件的制造方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910347411.0

申请日：

2019-04-28

公开(公告)号：

CN110047799A

公开(公告)日：

2019-07-23

发明(设计)人：

邹永金顾文斌曹秀亮

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23532

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20190723
2019-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20190428
2019-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

陈亚威 ;

简志宏 .

中国专利 :CN120376511A ,2025-07-25

[2]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

丰田启 ;

中尾光博 ;

莲沼正彦 ;

金子尚史 ;

坂田敦子 ;

小向敏章 .

中国专利 :CN1241261C ,2002-10-23

[3]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

丰田启 ;

中尾光博 ;

莲沼正彦 ;

金子尚史 ;

坂田敦子 ;

小向敏章 .

中国专利 :CN1776903A ,2006-05-24

[4]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

奥村绫香 ;

堀田胜彦 ;

近藤由宪 ;

大坂宏彰 .

中国专利 :CN104779173A ,2015-07-15

[5]

半导体器件、半导体晶片、半导体组件及半导体器件的制造方法 [P].

荻野雅彦 ;

上野巧 ;

江口州志 ;

永井晃 ;

佐藤俊也 ;

石井利昭 ;

小角博义 ;

濑川正则 ;

露野円丈 ;

西村朝雄 ;

安生一郎 .

中国专利 :CN100487888C ,2000-07-19

[6]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

[7]

半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 [P].

早水勋 ;

立柳昌哉 .

中国专利 :CN101471537B ,2009-07-01

[8]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

黛哲 .

中国专利 :CN101996874B ,2011-03-30

[9]

半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

高旭 ;

郑世远 ;

徐萍 .

中国专利 :CN109872969A ,2019-06-11

[10]

半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

尤瑞·V·诺乌里夫 ;

约西尼·J·G·P·卢 .

中国专利 :CN101095237A ,2007-12-26

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