半导体器件、半导体器件布局和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510575485.1

申请日：

2015-09-11

公开(公告)号：

CN106024628A

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

廖忠志

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686888291 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015105754851 申请日:20150911
2016-10-12	公开	公开
2019-06-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件布局、存储器件布局和制造半导体器件的方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN106206567B ,2016-12-07

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

金宰中 ;

李灿珩 ;

张镇圭 ;

金洛焕 ;

李东洙 .

中国专利 :CN112018170A ,2020-12-01

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

中山达峰 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN106024879B ,2016-10-12

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

周仁钧 ;

程潼文 .

中国专利 :CN112670243B ,2025-11-07

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

马库斯·曾德尔 .

中国专利 :CN103311275B ,2013-09-18

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

安藤裕二 .

中国专利 :CN104465745A ,2015-03-25

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

中国专利 :CN110556293A ,2019-12-10

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN103715241B ,2014-04-09

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