制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010546254.9

申请日：

2020-06-16

公开(公告)号：

CN112670243B

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

周仁钧程潼文

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/03 H10D84/83 H10D84/85

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件布局和制造半导体器件的方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN106024628A ,2016-10-12

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

金宰中 ;

李灿珩 ;

张镇圭 ;

金洛焕 ;

李东洙 .

中国专利 :CN112018170A ,2020-12-01

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

中山达峰 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN106024879B ,2016-10-12

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

马库斯·曾德尔 .

中国专利 :CN103311275B ,2013-09-18

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

安藤裕二 .

中国专利 :CN104465745A ,2015-03-25

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

中国专利 :CN110556293A ,2019-12-10

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN103715241B ,2014-04-09

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

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