半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310084385.X

申请日：

2013-03-15

公开(公告)号：

CN103311275B

公开(公告)日：

2013-09-18

发明(设计)人：

弗朗茨·赫尔莱尔马库斯·曾德尔

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2910

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;李静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-18	公开	公开
2016-01-20	授权	授权
2013-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101531532297 IPC(主分类):H01L 29/10 专利申请号:201310084385X 申请日:20130315
2020-03-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/10 申请日:20130315 授权公告日:20160120 终止日期:20190315

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件布局和制造半导体器件的方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN106024628A ,2016-10-12

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

金宰中 ;

李灿珩 ;

张镇圭 ;

金洛焕 ;

李东洙 .

中国专利 :CN112018170A ,2020-12-01

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

中山达峰 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN106024879B ,2016-10-12

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

周仁钧 ;

程潼文 .

中国专利 :CN112670243B ,2025-11-07

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

安藤裕二 .

中国专利 :CN104465745A ,2015-03-25

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

中国专利 :CN110556293A ,2019-12-10

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN103715241B ,2014-04-09

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

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