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半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911394517.2
申请日：
2019-12-30
公开(公告)号：
CN112018170A
公开(公告)日：
2020-12-01
发明(设计)人：
金宰中 李灿珩 张镇圭 金洛焕 李东洙
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道水原市
IPC主分类号：
H01L2949
IPC分类号：
H01L2978 H01L27092 H01L218238
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
张晓;尹淑梅
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-05-06 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/49 申请日:20191230
2020-12-01 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件、半导体器件布局和制造半导体器件的方法 [P]. 
廖忠志 .
中国专利 :CN106024628A ,2016-10-12
[2]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
堰和彦 .
日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16
[3]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
中山达峰 ;
宫本广信 .
中国专利 :CN106024879B ,2016-10-12
[4]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
周仁钧 ;
程潼文 .
中国专利 :CN112670243B ,2025-11-07
[5]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
弗朗茨·赫尔莱尔 ;
马库斯·曾德尔 .
中国专利 :CN103311275B ,2013-09-18
[6]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
安藤裕二 .
中国专利 :CN104465745A ,2015-03-25
[7]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
山田敦史 ;
温井健司 .
中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09
[8]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
堰和彦 .
中国专利 :CN110556293A ,2019-12-10
[9]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
山田敦史 .
中国专利 :CN103715241B ,2014-04-09
[10]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
山川真弥 .
中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23
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