制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010288219.1

申请日：

2020-04-14

公开(公告)号：

CN112670181A

公开(公告)日：

2021-04-16

发明(设计)人：

张筱君沈冠杰

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L29161 H01L2936 H01L2978

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200414
2021-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件布局和制造半导体器件的方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN106024628A ,2016-10-12

[2]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

涂火金 ;

三重野文健 ;

禹国宾 .

中国专利 :CN103165664A ,2013-06-19

[3]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

森日出树 .

中国专利 :CN101661935B ,2010-03-03

[4]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

韩啸 .

中国专利 :CN111490099B ,2020-08-04

[5]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

福田恭平 ;

望月英司 ;

泽野光利 ;

须泽孝昭 .

中国专利 :CN102280470A ,2011-12-14

[6]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

[7]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

高桥典之 .

中国专利 :CN102683223A ,2012-09-19

[8]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

大隅贵寿 .

中国专利 :CN1945821A ,2007-04-11

[9]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

松田庆太 .

日本专利 :CN110931369B ,2025-02-18

[10]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

吴传佳 .

中国专利 :CN111384166A ,2020-07-07

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