曝光掩模、其制造方法以及使用其的半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00129284.6

申请日：

2000-09-30

公开(公告)号：

CN1293449A

公开(公告)日：

2001-05-02

发明(设计)人：

江崎瑞仙

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

G03F116

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-04-04	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-07-07	授权	授权
2001-05-02	公开	公开
2011-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101029291113 IPC(主分类):H01L 21/027 专利号:ZL001292846 申请日:20000930 授权公告日:20040707 终止日期:20091030

共 50 条

[1]

曝光掩模以及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

大沼英人 ;

永井雅晴 .

中国专利 :CN1912739A ,2007-02-14

[2]

光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法 [P].

金二权 ;

金相辰 ;

高熙英 ;

金熙范 ;

金勋 ;

崔烘硕 ;

许晋硕 .

中国专利 :CN111435217A ,2020-07-21

[3]

光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法 [P].

金二权 ;

金相辰 ;

高熙英 ;

金熙范 ;

金勋 ;

崔烘硕 ;

许晋硕 .

韩国专利 :CN111435217B ,2024-05-28

[4]

半导体器件以及制造其的方法 [P].

崔圭辰 ;

马圣民 ;

沈揆赞 .

中国专利 :CN115701276A ,2023-02-07

[5]

半导体衬底、其制造方法以及半导体器件的制造方法 [P].

日高义晴 ;

池之内胜行 .

中国专利 :CN1256757C ,2004-08-04

[6]

半导体晶片、其制造方法以及制造半导体器件的方法 [P].

大沼学 .

中国专利 :CN100355035C ,2005-09-28

[7]

空白掩模、使用其的光掩模及半导体器件的制造方法 [P].

李乾坤 ;

金星润 ;

郑珉交 ;

李亨周 ;

孙晟熏 ;

金太永 .

韩国专利 :CN117590682A ,2024-02-23

[8]

用于制造半导体器件的模具以及使用其制造的半导体器件 [P].

郭东选 .

中国专利 :CN1873938A ,2006-12-06

[9]

曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法 [P].

宋柱京 ;

尹炯舜 .

中国专利 :CN101750879B ,2010-06-23

[10]

曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法 [P].

郑龙淳 .

中国专利 :CN101206394A ,2008-06-25

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