半导体器件以及制造其的方法

被引：0

申请号：

CN202210367525.3

申请日：

2022-04-08

公开(公告)号：

CN115701276A

公开(公告)日：

2023-02-07

发明(设计)人：

崔圭辰马圣民沈揆赞

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10N9700

IPC分类号：

H01L2708

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

许伟群;李少丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件以及该半导体器件的制造方法 [P].

崔基峻 .

中国专利 :CN1992368A ,2007-07-04

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

肱冈健一郎 ;

久米一平 ;

井上尚也 ;

白井浩树 ;

川原润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102254916B ,2011-11-23

[3]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

山本阳一 ;

服卷直美 ;

坂本美里 ;

加藤芳健 .

中国专利 :CN102148228A ,2011-08-10

[4]

半导体器件及制造其的方法 [P].

朴志雄 ;

李垣哲 .

中国专利 :CN108231772B ,2018-06-29

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

濑尾晓 ;

上田哲也 ;

筒江诚 .

中国专利 :CN100463176C ,2006-03-22

[6]

制造半导体器件的方法 [P].

长野能久 ;

上本康裕 ;

十代勇治 ;

吾妻正道 ;

藤井英治 .

中国专利 :CN1187829C ,1999-07-21

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

彼得·泽奇 ;

小罗伯特·E·琼斯 ;

帕浦·D·马尼尔 ;

朱佩 .

中国专利 :CN1192435C ,1999-06-30

[8]

半导体衬底、其制造方法以及半导体器件的制造方法 [P].

日高义晴 ;

池之内胜行 .

中国专利 :CN1256757C ,2004-08-04

[9]

半导体晶片、其制造方法以及制造半导体器件的方法 [P].

大沼学 .

中国专利 :CN100355035C ,2005-09-28

[10]

制造电容器和半导体器件的方法以及半导体器件和装置 [P].

崔允荣 ;

李炳铉 ;

具炳周 ;

金昇辰 ;

朴相在 ;

裵珍宇 ;

李翰杰 ;

崔辅友 ;

洪贤宝 .

中国专利 :CN112309985A ,2021-02-02

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