制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98124908.6

申请日：

1998-11-13

公开(公告)号：

CN1187829C

公开(公告)日：

1999-07-21

发明(设计)人：

长野能久上本康裕十代勇治吾妻正道藤井英治

申请人：

申请人地址：

日本大阪

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

蹇炜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-02	授权	授权
1999-07-21	公开	公开
1999-04-07	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2009-01-14	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

肱冈健一郎 ;

久米一平 ;

井上尚也 ;

白井浩树 ;

川原润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102254916B ,2011-11-23

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

小林修 ;

渡边秋好 .

中国专利 :CN1181549C ,2003-04-16

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

三浦寿良 .

中国专利 :CN1953184A ,2007-04-25

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

彦坂幸信 ;

伊藤昭男 ;

高井一章 ;

齐藤丈靖 .

中国专利 :CN1240133C ,2003-07-23

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

户田猛 .

中国专利 :CN104124245A ,2014-10-29

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

濑尾晓 ;

上田哲也 ;

筒江诚 .

中国专利 :CN100463176C ,2006-03-22

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

古田阳雄 ;

松田亮史 ;

上野修一 ;

黑岩丈晴 .

中国专利 :CN102157680B ,2011-08-17

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

古田阳雄 ;

松田亮史 ;

上野修一 ;

黑岩丈晴 .

中国专利 :CN101162755B ,2008-04-16

[9]

半导体器件及其制造工艺 [P].

东野智彦 ;

胜木信幸 ;

川胜康弘 ;

小林道弘 .

中国专利 :CN101266973B ,2008-09-17

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

鸟居克裕 .

中国专利 :CN1862818A ,2006-11-15

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