半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410169199.0

申请日：

2014-04-24

公开(公告)号：

CN104124245A

公开(公告)日：

2014-10-29

发明(设计)人：

户田猛

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L29423 H01L218238 H01L2128

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101655930030 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2014101691990 申请日:20140424
2015-11-11	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723374848 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2014101691990 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2018-10-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/092 申请公布日:20141029
2014-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造工艺 [P].

东野智彦 ;

胜木信幸 ;

川胜康弘 ;

小林道弘 .

中国专利 :CN101266973B ,2008-09-17

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

鸟居克裕 .

中国专利 :CN1862818A ,2006-11-15

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

小林修 ;

渡边秋好 .

中国专利 :CN1181549C ,2003-04-16

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

松浦克好 ;

能代英之 ;

土手晓 .

中国专利 :CN100334736C ,2005-08-03

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

中村亘 .

中国专利 :CN100521212C ,2006-09-20

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

尾崎康孝 .

中国专利 :CN1877842A ,2006-12-13

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

肱冈健一郎 ;

久米一平 ;

井上尚也 ;

白井浩树 ;

川原润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102254916B ,2011-11-23

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 ;

菊池秀明 ;

佐次田直也 ;

尾崎康孝 .

中国专利 :CN101299429A ,2008-11-05

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

三浦寿良 .

中国专利 :CN1953184A ,2007-04-25

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

彦坂幸信 ;

伊藤昭男 ;

高井一章 ;

齐藤丈靖 .

中国专利 :CN1240133C ,2003-07-23

← 1 2 3 4 5 →