半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510091427.8

申请日：

2005-08-11

公开(公告)号：

CN100521212C

公开(公告)日：

2006-09-20

发明(设计)人：

中村亘

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L218239

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

张龙哺;郑特强

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101039588087 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2005100914278 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:日本神奈川县横浜市变更后:日本神奈川县横浜市
2006-09-20	公开	公开
2008-12-10	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本东京都登记生效日:20081107
2012-10-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101334332825 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2005100914278 申请日:20050811 授权公告日:20090729 终止日期:20110811
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101039588086 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL2005100914278 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县横浜市
2009-07-29	授权	授权
2006-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

松浦克好 ;

能代英之 ;

土手晓 .

中国专利 :CN100334736C ,2005-08-03

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

尾崎康孝 .

中国专利 :CN1877842A ,2006-12-13

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

鸟居克裕 .

中国专利 :CN1862818A ,2006-11-15

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

彦坂幸信 ;

伊藤昭男 ;

高井一章 ;

齐藤丈靖 .

中国专利 :CN1240133C ,2003-07-23

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

户田猛 .

中国专利 :CN104124245A ,2014-10-29

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

松浦克好 ;

能代英之 ;

土手晓 .

中国专利 :CN101093795A ,2007-12-26

[7]

半导体器件及其制造工艺 [P].

东野智彦 ;

胜木信幸 ;

川胜康弘 ;

小林道弘 .

中国专利 :CN101266973B ,2008-09-17

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

松原义久 .

中国专利 :CN1233073A ,1999-10-27

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 ;

菊池秀明 ;

佐次田直也 ;

尾崎康孝 .

中国专利 :CN101299429A ,2008-11-05

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

松木浩久 ;

福田淳 .

中国专利 :CN101047156B ,2007-10-03

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