半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610080240.2

申请日：

2006-05-12

公开(公告)号：

CN1862818A

公开(公告)日：

2006-11-15

发明(设计)人：

鸟居克裕

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L27102 H01L2710 H01L2704 H01L218242 H01L218222 H01L2102 H01L2100

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/108 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2006-11-15	公开	公开
2008-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-06-02	授权	授权
2010-10-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101033839349 IPC(主分类):H01L 27/108 专利号:ZL2006100802402 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20100909

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 ;

菊池秀明 ;

佐次田直也 ;

尾崎康孝 .

中国专利 :CN101299429A ,2008-11-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

三浦寿良 .

中国专利 :CN1953184A ,2007-04-25

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

松浦克好 ;

能代英之 ;

土手晓 .

中国专利 :CN100334736C ,2005-08-03

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

中村亘 .

中国专利 :CN100521212C ,2006-09-20

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

尾崎康孝 .

中国专利 :CN1877842A ,2006-12-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

户田猛 .

中国专利 :CN104124245A ,2014-10-29

[7]

半导体器件及其制造工艺 [P].

东野智彦 ;

胜木信幸 ;

川胜康弘 ;

小林道弘 .

中国专利 :CN101266973B ,2008-09-17

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

洪锡俊 ;

权烔辉 ;

朴昭贤 ;

李洋熙 .

韩国专利 :CN120152278A ,2025-06-13

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

辛和淑 .

中国专利 :CN101005045A ,2007-07-25

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

小林修 ;

渡边秋好 .

中国专利 :CN1181549C ,2003-04-16

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