光掩模、光掩模坯、半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210472956.6

申请日：

2022-04-29

公开(公告)号：

CN115268208B

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

郑珉交金星润孙晟熏申仁均崔石荣金修衒金圭勋李亨周

申请人：

SK恩普士有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G03F1/48

IPC分类号：

G03F1/58 G03F1/26

代理机构：

成都泛典知识产权代理有限公司 51258

代理人：

洪玉姬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	授权	授权

共 50 条

[1]

光掩模坯、光掩模及半导体器件的制造方法 [P].

李乾坤 ;

崔石荣 ;

李亨周 ;

孙晟熏 ;

金星润 ;

郑珉交 ;

申仁均 .

韩国专利 :CN115268202B ,2025-10-10

[2]

光掩模坯体、光掩模及其制造方法、以及半导体器件的制造方法 [P].

桥本雅广 ;

小凑淳志 .

中国专利 :CN102165369A ,2011-08-24

[3]

空白掩模、光掩模以及半导体器件的制造方法 [P].

李乾坤 ;

崔石荣 ;

李亨周 ;

金修衒 ;

孙晟熏 ;

金星润 ;

郑珉交 ;

曹河铉 ;

金泰完 ;

申仁均 .

中国专利 :CN115616853A ,2023-01-17

[4]

光掩模坯、光掩模以及光掩模的制造方法 [P].

松井一晃 ;

小岛洋介 .

日本专利 :CN118401890A ,2024-07-26

[5]

光掩模、半导体器件与光掩模的设计方法 [P].

张豆豆 ;

邱瑾玉 ;

耿玉慧 ;

宋之洋 .

中国专利 :CN111443570A ,2020-07-24

[6]

光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

金良男 .

中国专利 :CN107092161A ,2017-08-25

[7]

光掩模和光掩模基板及其制造方法、光掩模坯体、显示装置制造方法 [P].

山口昇 .

中国专利 :CN106933026B ,2017-07-07

[8]

光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法 [P].

文载寅 .

中国专利 :CN101446756B ,2009-06-03

[9]

光掩模、制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

陈曦 .

:CN120981765A ,2025-11-18

[10]

空白掩模、使用其的光掩模及半导体器件的制造方法 [P].

李乾坤 ;

金星润 ;

郑珉交 ;

李亨周 ;

孙晟熏 ;

金太永 .

韩国专利 :CN117590682A ,2024-02-23

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