加热腔室及半导体加工设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610712413.1
申请日
2016-08-24
公开(公告)号
CN107785283B
公开(公告)日
2018-03-09
发明(设计)人
邱国庆
申请人
申请人地址
100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
彭瑞欣;张天舒
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
宗令蓓 .
中国专利 :CN101930902A ,2010-12-29
[2]
加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
邱国庆 .
中国专利 :CN107546147A ,2018-01-05
[3]
加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
蒲春 .
中国专利 :CN101853774B ,2010-10-06
[4]
加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
贾强 .
中国专利 :CN106033734A ,2016-10-19
[5]
加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
边国栋 .
中国专利 :CN107437515A ,2017-12-05
[6]
加热腔室以及半导体加工设备 [P]. 
贾强 ;
丁培军 ;
赵梦欣 ;
王厚工 .
中国专利 :CN106282914B ,2017-01-04
[7]
加热腔室以及半导体加工设备 [P]. 
贾强 ;
赵梦欣 .
中国专利 :CN105789084B ,2016-07-20
[8]
加热腔室以及半导体加工设备 [P]. 
贾强 .
中国专利 :CN203721689U ,2014-07-16
[9]
半导体加工反应腔室及半导体加工设备 [P]. 
田才忠 ;
李士昌 ;
贾海立 .
中国专利 :CN217485404U ,2022-09-23
[10]
半导体工艺腔室及半导体加工设备 [P]. 
林源为 ;
崔咏琴 .
中国专利 :CN111508806B ,2020-08-07