加热腔室及半导体加工设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910087862.1
申请日
2009-06-24
公开(公告)号
CN101930902A
公开(公告)日
2010-12-29
发明(设计)人
宗令蓓
申请人
申请人地址
100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼
IPC主分类号
H01L2100
IPC分类号
H01L21677 H01L21324 C23C1400 C23C1600
代理机构
北京凯特来知识产权代理有限公司 11260
代理人
赵镇勇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
邱国庆 .
中国专利 :CN107785283B ,2018-03-09
[2]
加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
邱国庆 .
中国专利 :CN107546147A ,2018-01-05
[3]
加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
蒲春 .
中国专利 :CN101853774B ,2010-10-06
[4]
加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
贾强 .
中国专利 :CN106033734A ,2016-10-19
[5]
加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
边国栋 .
中国专利 :CN107437515A ,2017-12-05
[6]
加热腔室以及半导体加工设备 [P]. 
贾强 ;
丁培军 ;
赵梦欣 ;
王厚工 .
中国专利 :CN106282914B ,2017-01-04
[7]
加热腔室以及半导体加工设备 [P]. 
贾强 ;
赵梦欣 .
中国专利 :CN105789084B ,2016-07-20
[8]
加热腔室以及半导体加工设备 [P]. 
贾强 .
中国专利 :CN203721689U ,2014-07-16
[9]
一种加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
叶华 .
中国专利 :CN105261576A ,2016-01-20
[10]
一种加热腔室及半导体加工设备 [P]. 
叶华 .
中国专利 :CN105441899B ,2016-03-30