蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管基板的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610213008.5

申请日：

2016-04-07

公开(公告)号：

CN106400016A

公开(公告)日：

2017-02-15

发明(设计)人：

安守民金荣俊朴弘植鞠仁说朴英哲刘仁浩李承洙李钟文林大成

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C23F118

IPC分类号：

C23F126 H01L21027

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

康泉;王珍仙

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	授权	授权
2018-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23F 1/18 申请日:20160407
2017-02-15	公开	公开

共 50 条

[1]

蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法 [P].

金俸均 ;

朴弘植 ;

李旺宇 ;

文英慜 ;

尹升好 ;

崔永株 ;

金相佑 ;

李骐范 ;

李大雨 ;

曹三永 .

中国专利 :CN103571495A ,2014-02-12

[2]

蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法 [P].

郑钟铉 ;

朴弘植 ;

梁熙星 ;

金奎佈 ;

申贤哲 ;

李秉雄 ;

李相赫 ;

李大雨 .

中国专利 :CN109097774B ,2018-12-28

[3]

蚀刻剂组合物及使用其形成金属布线和薄膜晶体管基底的方法 [P].

金仁培 ;

郑锺铉 ;

文英慜 ;

朴弘植 ;

金奎佈 ;

徐源国 ;

申贤哲 ;

李骐范 ;

曹三永 ;

韩胜然 .

中国专利 :CN105579618A ,2016-05-11

[4]

蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法 [P].

郑钟铉 ;

金善一 ;

朴智荣 ;

金湘甲 ;

宋溱镐 ;

崔新逸 ;

权五柄 ;

朴英哲 ;

刘仁浩 ;

李昔准 ;

林玟基 ;

张尚勋 ;

秦荣晙 .

中国专利 :CN102827611A ,2012-12-19

[5]

蚀刻剂组合物以及制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法 [P].

金俸均 ;

权昶佑 ;

沈承辅 ;

安一培 ;

张硕浚 ;

金镇奭 ;

朴芝焄 ;

李龙洙 ;

全亮镒 ;

金奎佈 ;

金相佑 ;

申贤哲 .

中国专利 :CN114763612A ,2022-07-19

[6]

蚀刻剂组合物及使用其制造金属图案和薄膜晶体管衬底的方法 [P].

梁熙星 ;

朴弘植 ;

郑锺鉉 ;

金相佑 ;

李大雨 .

中国专利 :CN109423648B ,2019-03-05

[7]

蚀刻剂及使用蚀刻剂制造布线及薄膜晶体管基板的方法 [P].

朴弘植 ;

金时烈 ;

郑钟铉 ;

申原硕 .

中国专利 :CN1877448A ,2006-12-13

[8]

蚀刻剂组合物和制造薄膜晶体管阵列基板的方法 [P].

郑康来 ;

申孝燮 .

中国专利 :CN105369249A ,2016-03-02

[9]

蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法 [P].

金俸均 ;

朴弘植 ;

尹升好 ;

金善一 ;

金相佑 ;

李大雨 ;

李骐范 ;

曹三永 .

中国专利 :CN104451681B ,2015-03-25

[10]

蚀刻剂及用其制造互连线和薄膜晶体管基板的方法 [P].

朴弘植 ;

金时烈 ;

郑钟铉 ;

申原硕 .

中国专利 :CN1884618B ,2006-12-27

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