蚀刻剂及使用蚀刻剂制造布线及薄膜晶体管基板的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610067407.1

申请日：

2006-03-27

公开(公告)号：

CN1877448A

公开(公告)日：

2006-12-13

发明(设计)人：

朴弘植金时烈郑钟铉申原硕

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G03F7004

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

李伟

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101198305444 IPC(主分类):G03F 7/004 专利申请号:2006100674071 公开日:20061213
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-12-13	公开	公开

共 50 条

[1]

蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管基板的方法 [P].

安守民 ;

金荣俊 ;

朴弘植 ;

鞠仁说 ;

朴英哲 ;

刘仁浩 ;

李承洙 ;

李钟文 ;

林大成 .

中国专利 :CN106400016A ,2017-02-15

[2]

蚀刻剂及用其制造互连线和薄膜晶体管基板的方法 [P].

朴弘植 ;

金时烈 ;

郑钟铉 ;

申原硕 .

中国专利 :CN1884618B ,2006-12-27

[3]

用于布线的蚀刻剂、利用该蚀刻剂制造布线的方法、包含该布线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 [P].

朴弘植 ;

姜聖哲 ;

赵弘济 .

中国专利 :CN1625590A ,2005-06-08

[4]

蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法 [P].

金俸均 ;

朴弘植 ;

李旺宇 ;

文英慜 ;

尹升好 ;

崔永株 ;

金相佑 ;

李骐范 ;

李大雨 ;

曹三永 .

中国专利 :CN103571495A ,2014-02-12

[5]

用于导电材料的蚀刻剂及薄膜晶体管阵列面板的制造方法 [P].

朴弘植 ;

姜成昊 ;

赵弘济 .

中国专利 :CN1769528B ,2006-05-10

[6]

蚀刻剂组合物和制造薄膜晶体管阵列基板的方法 [P].

郑康来 ;

申孝燮 .

中国专利 :CN105369249A ,2016-03-02

[7]

蚀刻剂组合物及使用其形成金属布线和薄膜晶体管基底的方法 [P].

金仁培 ;

郑锺铉 ;

文英慜 ;

朴弘植 ;

金奎佈 ;

徐源国 ;

申贤哲 ;

李骐范 ;

曹三永 ;

韩胜然 .

中国专利 :CN105579618A ,2016-05-11

[8]

蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法 [P].

郑钟铉 ;

金善一 ;

朴智荣 ;

金湘甲 ;

宋溱镐 ;

崔新逸 ;

权五柄 ;

朴英哲 ;

刘仁浩 ;

李昔准 ;

林玟基 ;

张尚勋 ;

秦荣晙 .

中国专利 :CN102827611A ,2012-12-19

[9]

含铜金属层的蚀刻方法、薄膜晶体管、显示装置及蚀刻剂 [P].

钱浩 .

中国专利 :CN110714200A ,2020-01-21

[10]

蚀刻剂组合物以及制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法 [P].

金俸均 ;

权昶佑 ;

沈承辅 ;

安一培 ;

张硕浚 ;

金镇奭 ;

朴芝焄 ;

李龙洙 ;

全亮镒 ;

金奎佈 ;

金相佑 ;

申贤哲 .

中国专利 :CN114763612A ,2022-07-19

← 1 2 3 4 5 →