坩埚及(近)单晶半导体锭的生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280054094.X

申请日：

2012-11-02

公开(公告)号：

CN104040038B

公开(公告)日：

2014-09-10

发明(设计)人：

吉尔伯特·兰库勒克里斯蒂安·马丁

申请人：

申请人地址：

法国费格涅斯

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B1114 C30B2906

代理机构：

上海脱颖律师事务所 31259

代理人：

脱颖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587400828 IPC(主分类):C30B 11/00 专利申请号:201280054094X 申请日:20121102
2016-11-02	授权	授权
2020-10-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:20121102 授权公告日:20161102 终止日期:20191102
2014-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体单晶锭的切片方法 [P].

野口广 .

日本专利 :CN111801771B ,2024-04-26

[2]

半导体单晶锭的切片方法 [P].

野口广 .

中国专利 :CN111801771A ,2020-10-20

[3]

半导体单晶成长坩埚 [P].

刘卫国 ;

周文婉 ;

李志高 .

中国专利 :CN215404658U ,2022-01-04

[4]

用于生产结晶半导体锭的坩埚及其制造方法 [P].

吉尔伯特·兰库勒 ;

克里斯蒂安·马丁 ;

劳伦·杜布瓦 .

中国专利 :CN103987881A ,2014-08-13

[5]

制造超低缺陷半导体单晶锭的方法及设备 [P].

洪宁皓 ;

赵铉鼎 ;

李晟永 ;

申丞镐 ;

李洪雨 .

中国专利 :CN101403137A ,2009-04-08

[6]

制备半导体单晶用的双层坩埚 [P].

王体虎 ;

秦福 ;

李英春 .

中国专利 :CN2087322U ,1991-10-23

[7]

制备半导体单晶用的双层坩埚 [P].

王体虎 ;

秦福 ;

李英春 .

中国专利 :CN1065105A ,1992-10-07

[8]

单晶晶锭、半导体晶圆以及制造半导体晶圆的方法 [P].

J·弗伦德 ;

H·奥弗纳 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN106449361B ,2017-02-22

[9]

半导体单晶炉坩埚吊装机构 [P].

赖章田 ;

贺贤汉 ;

夏孝平 ;

黄保强 .

中国专利 :CN208429761U ,2019-01-25

[10]

单晶半导体晶片和用于生产半导体晶片的方法 [P].

K·勒特格 ;

H·贝克尔 ;

L·米斯图尔 ;

A·米厄 .

中国专利 :CN108369895B ,2018-08-03

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