半导体单晶成长坩埚

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202023116163.6

申请日：

2020-12-22

公开(公告)号：

CN215404658U

公开(公告)日：

2022-01-04

发明(设计)人：

刘卫国周文婉李志高

申请人：

申请人地址：

122300 辽宁省朝阳市喀左县经济开发区306室

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-04	授权	授权

共 50 条

[1]

制备半导体单晶用的双层坩埚 [P].

王体虎 ;

秦福 ;

李英春 .

中国专利 :CN2087322U ,1991-10-23

[2]

半导体单晶炉坩埚吊装机构 [P].

赖章田 ;

贺贤汉 ;

夏孝平 ;

黄保强 .

中国专利 :CN208429761U ,2019-01-25

[3]

高氧半导体单晶硅用石英坩埚 [P].

贾建亮 ;

贾建恩 ;

孙艳 .

中国专利 :CN213113596U ,2021-05-04

[4]

制备半导体单晶用的双层坩埚 [P].

王体虎 ;

秦福 ;

李英春 .

中国专利 :CN1065105A ,1992-10-07

[5]

半导体单晶炉 [P].

蒋国庆 .

中国专利 :CN208440728U ,2019-01-29

[6]

用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635455U ,2017-11-14

[7]

坩埚和半导体设备 [P].

杨光宇 .

中国专利 :CN220393989U ,2024-01-26

[8]

一种化合物半导体单晶生长用坩埚 [P].

何军舫 ;

房明浩 ;

刘艳改 ;

黄朝晖 .

中国专利 :CN201883176U ,2011-06-29

[9]

半导体单晶合成坩锅 [P].

董家海 ;

斯超波 .

中国专利 :CN211814720U ,2020-10-30

[10]

坩埚及(近)单晶半导体锭的生产方法 [P].

吉尔伯特·兰库勒 ;

克里斯蒂安·马丁 .

中国专利 :CN104040038B ,2014-09-10

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