用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720396622.X

申请日：

2017-04-14

公开(公告)号：

CN206635455U

公开(公告)日：

2017-11-14

发明(设计)人：

潘清跃姜宏伟

申请人：

申请人地址：

210046 江苏省南京市经济技术开发区兴科路12号科创基地108室

IPC主分类号：

C30B1510

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

江苏圣典律师事务所 32237

代理人：

杨文晰;孙忠浩

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座 [P].

陈永贵 ;

张培林 ;

武建军 ;

柴利春 ;

张作文 ;

王志辉 .

中国专利 :CN111996587A ,2020-11-27

[2]

用于半导体级硅单晶炉的石墨净化筒 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635461U ,2017-11-14

[3]

一种半导体级硅单晶炉坩埚起吊装置及硅单晶炉 [P].

姜宏伟 ;

郭志强 ;

郑锴 .

中国专利 :CN112575370B ,2021-03-30

[4]

半导体级硅单晶炉籽晶夹头装置 [P].

潘清跃 ;

王维川 ;

汤锦睿 .

中国专利 :CN206799792U ,2017-12-26

[5]

用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管 [P].

吴春生 ;

潘清跃 ;

王程平 .

中国专利 :CN206635457U ,2017-11-14

[6]

半导体级硅单晶炉的底部加热器 [P].

顾海浪 .

中国专利 :CN216156016U ,2022-04-01

[7]

半导体级硅单晶炉的底部加热器 [P].

万关良 .

中国专利 :CN215593235U ,2022-01-21

[8]

半导体级硅单晶炉底部加热器 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635456U ,2017-11-14

[9]

半导体级硅单晶炉主加热器 [P].

潘清跃 ;

吴春生 .

中国专利 :CN206799791U ,2017-12-26

[10]

一种半导体级硅单晶炉的排气装置及单晶炉 [P].

吴春生 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN208008945U ,2018-10-26

← 1 2 3 4 5 →