一种半导体级硅单晶炉的排气装置及单晶炉

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820255404.9

申请日：

2018-02-13

公开(公告)号：

CN208008945U

公开(公告)日：

2018-10-26

发明(设计)人：

吴春生姜宏伟

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市经济技术开发区红枫科技园A3栋1层东侧

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B3500

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

张弛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体级硅单晶炉的排气装置及单晶炉 [P].

吴春生 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN108179469A ,2018-06-19

[2]

一种半导体级硅单晶炉的排气装置 [P].

杜群超 ;

李志华 .

中国专利 :CN221544816U ,2024-08-16

[3]

一种半导体级硅单晶炉的排气装置 [P].

曹玉宝 ;

李岩 ;

李丹 ;

马东兴 ;

张丹 .

中国专利 :CN112410874B ,2021-02-26

[4]

一种半导体级硅单晶炉坩埚起吊装置及硅单晶炉 [P].

姜宏伟 ;

郭志强 ;

郑锴 .

中国专利 :CN112575370B ,2021-03-30

[5]

半导体级硅单晶炉籽晶夹头装置 [P].

潘清跃 ;

王维川 ;

汤锦睿 .

中国专利 :CN206799792U ,2017-12-26

[6]

半导体级硅单晶炉主加热器 [P].

潘清跃 ;

吴春生 .

中国专利 :CN206799791U ,2017-12-26

[7]

半导体级硅单晶炉底部加热器 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635456U ,2017-11-14

[8]

用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635455U ,2017-11-14

[9]

用于半导体级硅单晶炉的石墨净化筒 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635461U ,2017-11-14

[10]

半导体级硅单晶炉的底部加热器 [P].

顾海浪 .

中国专利 :CN216156016U ,2022-04-01

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