半导体级硅单晶炉主加热器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720392918.4

申请日：

2017-04-14

公开(公告)号：

CN206799791U

公开(公告)日：

2017-12-26

发明(设计)人：

潘清跃吴春生

申请人：

申请人地址：

210046 江苏省南京市经济技术开发区兴科路12号科创基地108室

IPC主分类号：

C30B1514

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

江苏圣典律师事务所 32237

代理人：

杨文晰;孙忠浩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-26	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体级硅单晶炉主加热器 [P].

潘清跃 ;

吴春生 .

中国专利 :CN107059111A ,2017-08-18

[2]

半导体级硅单晶炉底部加热器 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635456U ,2017-11-14

[3]

半导体级硅单晶炉底部加热器 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN107059112A ,2017-08-18

[4]

半导体级硅单晶炉的底部加热器 [P].

顾海浪 .

中国专利 :CN216156016U ,2022-04-01

[5]

半导体级硅单晶炉的底部加热器 [P].

万关良 .

中国专利 :CN215593235U ,2022-01-21

[6]

半导体级硅单晶炉籽晶夹头装置 [P].

潘清跃 ;

王维川 ;

汤锦睿 .

中国专利 :CN206799792U ,2017-12-26

[7]

一种具有隐藏式加热器的半导体硅单晶炉 [P].

潘清跃 ;

吴春生 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN208517577U ,2019-02-19

[8]

单晶炉主加热器及单晶炉 [P].

周萍 ;

张建新 .

中国专利 :CN213708553U ,2021-07-16

[9]

一种具有隐藏式加热器的半导体硅单晶炉 [P].

潘清跃 ;

吴春生 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN108468083A ,2018-08-31

[10]

用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635455U ,2017-11-14

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