半导体级硅单晶炉底部加热器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710245426.7

申请日：

2017-04-14

公开(公告)号：

CN107059112A

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

潘清跃姜宏伟

申请人：

申请人地址：

210046 江苏省南京市经济技术开发区兴科路12号科创基地108室

IPC主分类号：

C30B1514

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

江苏圣典律师事务所 32237

代理人：

杨文晰;孙忠浩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-18	公开	公开
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747180810 IPC(主分类):C30B 15/14 专利申请号:2017102454267 申请日:20170414

共 50 条

[1]

半导体级硅单晶炉底部加热器 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635456U ,2017-11-14

[2]

半导体级硅单晶炉的底部加热器 [P].

顾海浪 .

中国专利 :CN216156016U ,2022-04-01

[3]

半导体级硅单晶炉的底部加热器 [P].

万关良 .

中国专利 :CN215593235U ,2022-01-21

[4]

半导体级硅单晶炉主加热器 [P].

潘清跃 ;

吴春生 .

中国专利 :CN107059111A ,2017-08-18

[5]

半导体级硅单晶炉主加热器 [P].

潘清跃 ;

吴春生 .

中国专利 :CN206799791U ,2017-12-26

[6]

半导体级硅单晶炉籽晶夹头装置 [P].

潘清跃 ;

王维川 ;

汤锦睿 .

中国专利 :CN206799792U ,2017-12-26

[7]

一种新型直拉硅单晶炉底部加热器 [P].

高建芳 ;

王建平 ;

梁宇飞 ;

郭志荣 ;

张红霞 ;

白大伟 ;

徐强 ;

王林 ;

高润飞 .

中国专利 :CN210438861U ,2020-05-01

[8]

一种具有隐藏式加热器的半导体硅单晶炉 [P].

潘清跃 ;

吴春生 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN108468083A ,2018-08-31

[9]

一种具有隐藏式加热器的半导体硅单晶炉 [P].

潘清跃 ;

吴春生 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN208517577U ,2019-02-19

[10]

一种半导体级硅单晶炉坩埚起吊装置及硅单晶炉 [P].

姜宏伟 ;

郭志强 ;

郑锴 .

中国专利 :CN112575370B ,2021-03-30

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