一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010669548.0

申请日：

2020-07-13

公开(公告)号：

CN111996587A

公开(公告)日：

2020-11-27

发明(设计)人：

陈永贵张培林武建军柴利春张作文王志辉

申请人：

申请人地址：

037002 山西省大同市新荣区花园屯村

IPC主分类号：

C30B1510

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119

代理人：

杨凯;连慧敏

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 15/10 申请公布日:20201127
2020-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/10 申请日:20200713
2020-11-27	公开	公开

共 50 条

[1]

用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635455U ,2017-11-14

[2]

用于半导体级硅单晶炉的石墨净化筒 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635461U ,2017-11-14

[3]

一种半导体级硅单晶炉坩埚起吊装置及硅单晶炉 [P].

姜宏伟 ;

郭志强 ;

郑锴 .

中国专利 :CN112575370B ,2021-03-30

[4]

半导体级硅单晶炉籽晶夹头装置 [P].

潘清跃 ;

王维川 ;

汤锦睿 .

中国专利 :CN206799792U ,2017-12-26

[5]

一种半导体级硅单晶炉的排气装置及单晶炉 [P].

吴春生 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN108179469A ,2018-06-19

[6]

用于半导体级硅单晶炉电极的水冷芯管 [P].

吴春生 ;

潘清跃 ;

王程平 .

中国专利 :CN206635457U ,2017-11-14

[7]

一种半导体级硅单晶炉的排气装置及单晶炉 [P].

吴春生 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN208008945U ,2018-10-26

[8]

一种半导体级硅单晶炉的排气装置 [P].

杜群超 ;

李志华 .

中国专利 :CN221544816U ,2024-08-16

[9]

一种半导体级硅单晶炉的排气装置 [P].

曹玉宝 ;

李岩 ;

李丹 ;

马东兴 ;

张丹 .

中国专利 :CN112410874B ,2021-02-26

[10]

半导体级硅单晶炉的底部加热器 [P].

顾海浪 .

中国专利 :CN216156016U ,2022-04-01

← 1 2 3 4 5 →