坩埚和半导体设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322056050.9

申请日：

2023-08-01

公开(公告)号：

CN220393989U

公开(公告)日：

2024-01-26

发明(设计)人：

杨光宇

申请人：

通威微电子有限公司

申请人地址：

610299 四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B25/00 C30B29/36

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

杨勋

法律状态：

授权

国省代码：

四川省成都市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-26	授权	授权

共 50 条

[1]

坩埚、坩埚组件和半导体设备 [P].

杨光宇 .

中国专利 :CN220300920U ,2024-01-05

[2]

坩埚装载装置和半导体设备 [P].

安志强 .

中国专利 :CN117448965A ,2024-01-26

[3]

半导体清洗装置和半导体设备 [P].

杜明利 ;

郑晓芬 ;

雷康 .

中国专利 :CN216064523U ,2022-03-18

[4]

半导体设备的排放装置和半导体设备 [P].

刘轩 ;

王军 ;

马一楠 .

中国专利 :CN221407247U ,2024-07-23

[5]

半导体设备的开腔装置和半导体设备 [P].

陈兆超 ;

邱勇 ;

程实然 ;

李娜 ;

刘海洋 ;

王铖熠 ;

胡冬冬 ;

许开东 .

中国专利 :CN209374411U ,2019-09-10

[6]

半导体湿法刻蚀装置和半导体设备 [P].

祝君龙 ;

夏余平 ;

苏界 ;

朱焜 .

中国专利 :CN114121724A ,2022-03-01

[7]

半导体设备的清洁装置和半导体设备系统 [P].

宋宏浩 ;

李勇刚 ;

石春来 ;

王高杰 ;

李璟轩 .

中国专利 :CN223264464U ,2025-08-26

[8]

半导体设备的去气腔室及半导体设备 [P].

张微尘 ;

罗建恒 ;

朱超 .

中国专利 :CN222530374U ,2025-02-25

[9]

半导体元件和半导体设备 [P].

冨田知大 ;

平井友洋 ;

冈本晋太郎 ;

江田健太郎 ;

渡辺敬 ;

山口一树 ;

笠原则一 ;

铃木康平 .

中国专利 :CN112740398A ,2021-04-30

[10]

半导体模块和半导体设备 [P].

小野英则 .

中国专利 :CN107731797A ,2018-02-23

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