制备半导体单晶用的双层坩埚

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN91204133.1

申请日：

1991-03-21

公开(公告)号：

CN2087322U

公开(公告)日：

1991-10-23

发明(设计)人：

王体虎秦福李英春

申请人：

申请人地址：

100088北京市新街口外大街2号

IPC主分类号：

F27B1410

IPC分类号：

代理机构：

北京市第三专利代理事务所

代理人：

母宗绪

法律状态：

专利权的终止专利权有效期届满

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-10-06	专利权的终止专利权有效期届满	专利权的终止专利权有效期届满
1991-10-23	公开	公开
1996-05-01	专利权有效期的续展(依据修改前的专利法第45条)	专利权有效期的续展(依据修改前的专利法第45条)
1992-05-20	授权	授权

共 50 条

[1]

制备半导体单晶用的双层坩埚 [P].

王体虎 ;

秦福 ;

李英春 .

中国专利 :CN1065105A ,1992-10-07

[2]

半导体单晶成长坩埚 [P].

刘卫国 ;

周文婉 ;

李志高 .

中国专利 :CN215404658U ,2022-01-04

[3]

单晶生长装料用双层坩埚 [P].

李武芳 ;

董汝昆 ;

包文臻 ;

祝永成 ;

高云浩 ;

金之生 ;

王朝思 .

中国专利 :CN204198896U ,2015-03-11

[4]

高氧半导体单晶硅用石英坩埚 [P].

贾建亮 ;

贾建恩 ;

孙艳 .

中国专利 :CN213113596U ,2021-05-04

[5]

半导体单晶炉坩埚吊装机构 [P].

赖章田 ;

贺贤汉 ;

夏孝平 ;

黄保强 .

中国专利 :CN208429761U ,2019-01-25

[6]

一种化合物半导体单晶生长用坩埚 [P].

何军舫 ;

房明浩 ;

刘艳改 ;

黄朝晖 .

中国专利 :CN201883176U ,2011-06-29

[7]

用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座 [P].

潘清跃 ;

姜宏伟 .

中国专利 :CN206635455U ,2017-11-14

[8]

半导体单晶炉 [P].

蒋国庆 .

中国专利 :CN208440728U ,2019-01-29

[9]

坩埚及(近)单晶半导体锭的生产方法 [P].

吉尔伯特·兰库勒 ;

克里斯蒂安·马丁 .

中国专利 :CN104040038B ,2014-09-10

[10]

化合物半导体单晶的制备方法 [P].

朝日聪明 ;

佐藤贤次 ;

荒川笃俊 .

中国专利 :CN1701042A ,2005-11-23

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