TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510144865.X

申请日：

2015-03-30

公开(公告)号：

CN104950023B

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

竹知和重芳贺浩史岩松新之辅小林诚也阿部泰矢作彻

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

G01N2726

IPC分类号：

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

黄志华

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-13	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01N 27/26 变更事项:专利权人变更前:NLT科技股份有限公司变更后:天马日本株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本神奈川县
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687202718 IPC(主分类):G01N 27/26 专利申请号:201510144865X 申请日:20150330
2019-12-13	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G01N 27/26 登记生效日:20191125 变更事项:专利权人变更前权利人:天马日本株式会社变更后权利人:天马微电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:广东省深圳市龙华区民治街道北站社区留仙大道天马大厦1918
2015-09-30	公开	公开
2019-07-26	授权	授权

共 50 条

[41]

笔式电位-氯离子传感器 [P].

林斌 ;

郭志 ;

刘爽 ;

林泽泉 ;

张磊 ;

韩留红 ;

高玉柱 .

中国专利 :CN203178227U ,2013-09-04

[42]

使用TFT像素电路的光学有源像素传感器 [P].

D·盖拉多 .

日本专利 :CN113489923B ,2024-04-05

[43]

离子传感器和显示装置 [P].

村井淳人 ;

片冈义晴 ;

渡部卓哉 ;

久田祐子 ;

堀内智 .

中国专利 :CN102939533A ,2013-02-20

[44]

使用TFT像素电路的光学有源像素传感器 [P].

D·盖拉多 .

中国专利 :CN113489923A ,2021-10-08

[45]

离子传感器和显示装置 [P].

村井淳人 ;

片冈义晴 ;

渡部卓哉 ;

久田祐子 ;

堀内智 .

中国专利 :CN102933959A ,2013-02-13

[46]

离子发生器监视系统和离子传感器 [P].

蒂莫西·马罗尼 ;

杰里米·保罗·威尔顿 ;

马丁·罗伯特·约翰逊 ;

赫尔曼·大卫·普拉特·弗格森 ;

约翰·帕特里克·菲洛索 ;

乔纳森·斯科特·延森 ;

维克托·哈宾舒提 ;

德里克·布里姆 ;

斯宾塞·拉尔夫·道奇 ;

罗伯特·埃德蒙德·古奇 ;

盖瑞·伯里奇 ;

约翰·M·格林二世 .

中国专利 :CN110888154A ,2020-03-17

[47]

磁阻角度传感器以及使用该传感器的传感器系统 [P].

U.奥瑟莱希纳 .

中国专利 :CN104976948B ,2015-10-14

[48]

基于差分测量的离子传感器 [P].

A·巴尔迪科尔 ;

C·费尔南德斯桑切斯 ;

A·卡达尔索布斯托 .

中国专利 :CN107850565B ,2018-03-27

[49]

离子烟雾传感器的定位装置 [P].

王炳材 ;

覃霞妹 ;

陈佳佳 .

中国专利 :CN214335903U ,2021-10-01

[50]

一种自标定式离子传感器及设有该传感器的离子检测仪 [P].

赖文 ;

黄勇 .

中国专利 :CN111122773A ,2020-05-08

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